半导体流体控制液体汽化器

Name: 半导体流体控制液体汽化器
Brand: HORIBA 堀场
SKU: MV-2000-05

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产品名称: 半导体流体控制液体汽化器

产品型号: MV-2000-05

产品厂商: 岩濑商事

产品品牌: HORIBA 堀场

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半导体流体控制液体汽化器 的详细介绍

HORIBA堀场产品特点：

HORIBA堀场拥有半导体全制程工艺控制与检测全系列产品，涵盖MFC流体控制、湿法*液监测、干法工艺监测、光罩洁净设备、晶圆材料表征、厂务环境监测六大核心品类，是先进晶圆产线主流标配方案。产品核心特点为高精度、快响应、高稳定性、强耐腐蚀性，适配腐蚀特种气体与高温酸碱*液，支持半导体工业通讯与产线自动化闭环控制，可有效降低工艺偏差、减少颗粒缺陷、提升生产良率。堀场设备可覆盖刻蚀、ALD/CVD薄膜沉积、湿法清洗、光刻、CMP、外延等全部关键工序，同时满足量产物控与高精材料研发需求。

应用行业：

产品广泛应用于逻辑、存储、MCU、先进封装等集成电路领域，适配SiC/GaN功率半导体、Mini/Micro LED光电子器件，同时服务光伏、显示面板行业及半导体实验室科研检测场景。

项目	MV-2000-01	MV-2000-05	MV-2000-20	MV-2000-50
适用液体	不含腐蚀不锈钢介质（排除 HCl、HF）	不含腐蚀不锈钢介质（排除 HCl、HF）	不含腐蚀不锈钢介质（排除 HCl、HF）	不含腐蚀不锈钢介质（排除 HCl、HF）
控温上限	控制阀 140℃/ 汽化腔 200℃	控制阀 140℃/ 汽化腔 200℃	控制阀 140℃/ 汽化腔 200℃	控制阀 140℃/ 汽化腔 200℃
氦漏率	整体≤1×10⁻⁸ Pa・m³/s	整体≤1×10⁻⁸ Pa・m³/s	整体≤1×10⁻⁸ Pa・m³/s	整体≤1×10⁻⁸ Pa・m³/s
内部漏标准	≤1×10⁻⁶ Pa·m³/s	≤1×10⁻⁶ Pa·m³/s	≤1×10⁻⁶ Pa·m³/s	≤1×10⁻⁶ Pa·m³/s
接触介质材质	SUS316L、PFA	SUS316L、PFA	SUS316L、PFA	SUS316L、PFA
温度传感器	K 型热电偶	K 型热电偶	K 型热电偶	K 型热电偶
耐压	1MPa(G)	1MPa(G)	1MPa(G)	1MPa(G)
标准接口	液体入口 1/8VCR 外丝；载气入口 1/4VCR 内丝；出气 1/2VCR 外丝	液体入口 1/8VCR 外丝；载气入口 1/4VCR 内丝；出气 1/2VCR 外丝	液体入口 1/8VCR 外丝；载气入口 1/4VCR 内丝；出气 1/2VCR 外丝	液体入口 1/8VCR 外丝；载气入口 1/4VCR 内丝；出气 1/2VCR 外丝
工作环境温度	15~50℃	15~50℃	15~50℃	15~50℃
额定汽化流量	0.1g/min	0.5g/min	2g/min	5g/min
可选配件	内置气阀（漏率≤1×10⁻⁹ Pa・m³/s）	内置气阀（漏率≤1×10⁻⁹ Pa・m³/s）	内置气阀（漏率≤1×10⁻⁹ Pa・m³/s）	内置气阀（漏率≤1×10⁻⁹ Pa・m³/s）

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