HORIBA堀场 产品特点:
应用行业:
产品广泛应用于逻辑、存储、MCU、先进封装等集成电路领域,适配SiC/GaN功率半导体、Mini/Micro LED光电子器件,同时服务光伏、显示面板行业及半导体实验室科研检测场景。
完整型号 满量程 进气压力区间 压差范围 下游压力上限 适配气体类型 润湿材质 流量精度 (25℃) 重复精度 阀体漏率 通讯接口 供电 净重 适用工艺场景 D717uF-L1 5SCCM 110~350kPa(A) ≥13.3kPa ≤53.3kPa O₂、氮气、氩气等惰性 / 弱氧化气体 SUS316L、PFA ±1%S.P.(10~100%FS);±0.1%FS(0.5~10%FS) ±0.25%S.P <0.015SCCM(N₂) RJ45 EtherCAT 24VDC±4V,瞬时 9.6W 1.0kg 常规薄膜沉积、低压微量掺杂 D717uF-M1 5SCCM 240~412kPa(A) ≥13.3kPa ≤53.3kPa 氧气、常规工艺氧化气体 SUS316L、Ni 合金、PFA ±1%S.P.(10~100%FS);±0.1%FS(0.5~10%FS) ±0.25%S.P <0.015SCCM(N₂) RJ45 EtherCAT 24VDC±4V,瞬时 9.6W 1.0kg 标准刻蚀、ALD 微量氧化气源供给 D717uF-M2 5SCCM 240~412kPa(A) ≥13.3kPa ≤53.3kPa Cl₂、HF 等卤素强腐蚀特种气体 高镍耐蚀合金、PFA ±1%S.P.(10~100%FS);±0.1%FS(0.5~10%FS) ±0.025%FS(0.5~10%FS) <0.015SCCM(N₂) RJ45 EtherCAT 24VDC±4V,瞬时 9.6W 1.0kg 干法腐蚀刻蚀、化合物半导体外延微量气源 D717uF-H1 5SCCM 350~750kPa(A) ≥240kPa ≤53.3kPa 高压微量掺杂、高纯特种气源 SUS316L、PFA ±1%S.P.(20~100%FS);±0.2%FS(1~20%FS) ±0.05%FS(1~20%FS) <0.015SCCM(N₂) RJ45 EtherCAT 24VDC±4V,瞬时 9.6W 1.0kg 高压扩散炉、功率半导体 SiC/GaN 外延
上海岩濑国际贸易有限公司 Tel:021-63333-365 Fax:021-63333-367 Add:上海市松江区沪亭北路199弄九亭中心5号楼811室 Email:sh@iwase365.com