ULVAC_间歇式溅射器_ENTRON N300
多商会型装置ENTRONTM N 300，适当的投资效率实现正合适的装置。PVD、CVD，不仅NVM用蚀刻也装载可能。ENTRON系列，*上位机种EX 2和在场的阵容扩张，根据客户的多样化需求准确，满足了。
在*小的模块构成可能会 PVD与CVD，ALD及NVM用腐蚀等*新技术也可搭载 Cu电路和障壁金属，UBM TSV CMOS图像传感器，，，NVM用腐蚀等丰富多彩的应用对应 以单一核心集群思想为六室的过程模块搭载可能 对环境的关怀 各种节能功能标准搭载，以前比以前增加40%的节能。 次世代半导体Fab适合的控制系统 薄膜控制性出色，EES对应也可能。***Fab自动化适合
*先进的半导体内存（DRAM，Flash内存） *先进半导体逻辑 下一代不挥发性内存（膜、蚀刻） UBM，TSV，动力设备 CMOS图像传感器
装置構成
搬送室
大気ウエハ移載機＋8角形真空搬送室
モジュール
L/UL室2+*大5プロセス室+1デガスor冷却室
基板寸法
Φ300㎜ or Φ200㎜
搬送ロボット
デュアルアーム高真空搬送ロボット＜ELEC-RZ＞
制御系
FA-PC制御（Cluser Tool controller）
排気系
主排気
LL室：専用ドライポンプ 搬送室：クライオポンプ or TMP+トラップ or ドライポンプ プロセス室：クライオポンプ or TMP(+トラップ)
粗引き
粗引き用ドライポンプ、TMPフォア用ドライポンプ
対応プロセス
スパッタ
スパッタダウン方式／回転磁石カソード：コンベンショナル、LTS、SIS、HiCIS、マルチカソード
プリクリーン
ICPプリエッチング、水素アニール、CDT
CVD/ALD
FEOL、BEOL、NVM用CVD、CDT
NVM用エッチング
NVM用高温、常温エッチング、ポストトリートメント
搭載可能プロセスガス系統
PVD：*大4系統、CVD:*大14系統、Etcher：*大11系統
スループット
メカニカルスループット：80wph(2回搬送)
到達圧力
10Pa以下
PVD：1.0×10E-4Pa以下／ETCHER：10Pa以下
PVD：3.0×10E-6Pa以下／ETCHER：6.7E-4Pa以下
膜厚/エッチング分布*1
Φ300㎜基板内 ±5％以内
プロセス温度
R.T～450℃
電気
50Hz/60Hz、3Φ、200V
冷却水
0.3～0.5MPa、温度20～25℃、 チラー用：120L/min He Compressor用：15L/min DRP用：3L/min×ｎ台分
所要ガス
プロセス用Gas各種：0.1～0.3MPa ベント用 N2：0.2～0.7MPa ドライポンプ用 N2：0.2～0.7MPa
圧空
0.5～0.7MPa
省エネルギー機能
標準搭載
接地工事
A種
オプション
LTS/SIS/マルチカソード/CVD/ALD/NVM：エッチャーモジュール選択搭載可能 RGA：Qulee EES：EDPMS(Equipment Engineering Systtem）
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